SiC keramische doos

SiC-keramische doos heeft een uitstekende mechanische sterkte en hardheid, wat zorgt voor duurzaamheid en het vermogen om mechanische belasting en schokken te weerstaan. De SiC-keramische doos vertoont een goede chemische weerstand, waardoor hij geschikt is voor gebruik in verschillende chemische omgevingen zonder gemakkelijk te corroderen of te beschadigen.

Aanvraag sturen

Praat nu

Producten Beschrijving

Een SiC-keramische doos verwijst naar een doos-vormige container of onderdeel gemaakt van siliciumcarbide (SiC), ook wel carborundum genoemd. Siliciumcarbide is een geavanceerd technisch keramisch materiaal dat wordt geproduceerd via processen zoals sinteren bij hoge- temperaturen (gesinterd siliciumcarbide, inclusief drukloos gesinterd SiC en heetgeperst siliciumcarbide), reactiebinding (reactiegebonden siliciumcarbide) of chemische dampafzetting (CVD SiC). Het wordt veel gebruikt in extreme omgevingen vanwege de uitstekende uitgebreide eigenschappen. Het dient niet alleen als een hoogwaardig-alternatief voor traditionele keramiek, maar ook als een cruciaal materiaal op veel- hightech- en precisiegebieden, zoals de productie van halfgeleiders, de lucht- en ruimtevaart en de productie van geavanceerde keramiek.

5678

Productnaam	SiC keramische doos
Materiaal	SiC-keramiek
Kleur	Op maat volgens de wensen van de klant
maat	Op maat volgens de wensen van de klant
Bewerkingsnauwkeurigheid	±0,001 mm
Verpakking	Karton /Pallet/Houten kist (volgens klantvereiste)
Levertijd	Standaardproduct-Binnen 3 dagen
Artikelen ontwerp	Volgens de tekening of monsters van de klant
Functies	Goede kwaliteit, lage prijs, meerdere fabrieken, leveren bij u op basis van de fabriek die het dichtst bij uw locatie ligt
Sollicitatie	Industriële keramiek
Certificaat	ISO, CE

Prestatieparameter keramiek

Nummer	Prestatie	Eenheid	Siliciumcarbide
			Siliciumcarbide
			SiSiC	SiC
1	Dikte	g/cm3	3.05	3.0-3.1
2	Buigsterkte	MPa	250	450-500
3	Breuktaaiheid	MPa·m1/2	4	4
4	Diëlektrische constante	εr(20 graden, 1MHz)	9~10	9~10
5	Hardheid	GPa	20	24
	Hardheid	HRC	85	87
6	Volumeweerstand	Ω · cm (20 graden)	10-2~1012	10-2~103
7	Elasticiteitsmodulus	GPa	330	440
8	Coëfficiënt van thermische uitzetting	×10-6/k	4.5	4.1
9	Druksterkte	MPa	550	2500
10	Schaafwonden	g/cm2	0.01	0.01
11	Thermische geleidbaarheid	W/m×k(20 graden)	45	84
12	Poisson-ratio	/	0.16	0.16
13	Isolatie sterkte	kv/mm		100
14	Temperatuur	rang	1380	1600

Belangrijkste eigenschappen

Uitzonderlijk hoge-temperatuurbestendigheid: Kan gedurende langere perioden stabiel werken in luchtomgevingen boven de 1600 graden, met gebruikstemperaturen op korte- termijn zelfs nog hoger. De sterkte bij hoge-temperaturen behoort tot de beste van alle keramische materialen, waardoor het ideaal is voor verwarmingselementen van siliciumcarbide en vuurvaste componenten van siliciumcarbide.
Uitstekende weerstand tegen corrosie en oxidatie: Zeer goed bestand tegen erosie door de meeste zuren, logen en gesmolten zouten. Met name in oxiderende atmosferen met hoge- temperaturen vormt het een dichte beschermende silicalaag om verdere oxidatie te voorkomen, wat cruciaal is voor siliciumcarbidekroezen en siliciumcarbidebeschermbuizen.
Ultra-Hoge hardheid en slijtvastheid: Beschikt over een hoge hardheid, die na enkele materialen zoals diamant en kubisch boornitride (B4C-keramiek) een uitstekende slijtvastheid biedt, waardoor het geschikt is voor omstandigheden waarbij deeltjeserosie of wrijving optreedt, zoals in mechanische afdichtingen van siliciumcarbide en bussen van siliciumcarbide.
Superieure thermische geleidbaarheid: De thermische geleidbaarheid is aanzienlijk hoger dan die van de meeste metalen en keramiek, wat zorgt voor een goede warmteafvoer en het vermogen om snelle temperatuurveranderingen te weerstaan (uitstekende thermische schokbestendigheid). Dit is essentieel voor siliciumcarbideplaten, siliciumcarbideplaten (sic-platen) en onderdelen van warmtewisselaars.
Goede chemische stabiliteit en lage verontreiniging: Omdat het een materiaal met een hoge-zuiverheid is (zoals alfa-siliciumcarbide), is de kans kleiner dat het reageert met opgeslagen stoffen, waardoor het bijzonder geschikt is voor materiaalverwerking met een hoge-zuiverheid in halfgeleidertoepassingen (bijvoorbeeld waferdragers).
Hoge stijfheid en lage expansie: Hoge elasticiteitsmodulus, bestand tegen vervorming; lage thermische uitzettingscoëfficiënt, waardoor dimensionale stabiliteit bij temperatuurveranderingen wordt gegarandeerd voor precisiecomponenten zoals siliciumcarbidebuizen en siliciumcarbidestaven.