Blog

Siliciumcarbidecomposieten: de belangrijkste ondersteuning voor hoogwaardige productie

Toepassing van thermische processen bij de vervaardiging van keramiek van aluminiumoxide: heetpersen, heet isostatisch persen en thermische plasmatech

Thermisch geleidend microstructuurontwerp: ontcijfering van de constructie van thermische geleidingsnetwerken van boornitride (BN).

Een nieuwe weg voor groen en efficiënt polijsten van optische materialen: principe en voorbereidingsproces van oplosbare zelf-slijpende polijstfilm

Terwijl halfgeleiderapparaten evolueren naar een hoger vermogen, een hogere dichtheid en miniaturisatie, naderen substraatmaterialen zoals silicium, s

Als halfgeleidermateriaal met een brede-bandgap van de derde-generatie speelt siliciumcarbide (SiC) een cruciale rol in apparaten met hoge- temperatuu

Vanwege de hoge hardheid, hoge temperatuurbestendigheid, corrosiebestendigheid en uitstekende elektrische isolatie wordt aluminiumoxide-keramiek veel

De prestatievoordelen van siliciumcarbide (SiC) halfgeleiders zijn al lange tijd een consensus in de industrie. Wat hun verdere volume-adoptie vandaag

De halfgeleiderindustrie volgt de industriële wet van ‘één generatie technologie, één generatie processen, één generatie apparatuur’. De prestaties, k

Met de versnelde binnenlandse substitutie in AI- en halfgeleidertoepassingen, gekoppeld aan de intensivering van de concurrentie op traditionele markt

Geactiveerd aluminiumoxide (-Al₂O₃) als katalysatordrager wordt veel gebruikt in de aardolieraffinage, de steenkoolchemische industrie en andere terre

Met betrekking tot de invloed van de deeltjesgrootte van thermisch geleidende vulstof op de thermische geleidbaarheid van composietmaterialen bestaat